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產(chǎn)品

N-Channel MOSFET

產(chǎn)品描述

SFG60N03AT 采用穩(wěn)先微電子先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)制造,低導(dǎo)通電阻,高雪崩擊穿耐量,可廣泛應(yīng)用于電工工具,鋰電保護(hù),PD快充和直流無(wú)刷電機(jī)等應(yīng)用。

主要特點(diǎn)


  • 30V, 60A

  • RDS(ON) =4.8mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 30A

  • 低柵極電荷


規(guī)格書(shū)

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        SFG60N03AT_EN_A0497KB

    SFG60N03AT_EN_A0.pdf


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